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注入氦离子增强了器件在宽谱范围内的光响应(如图4所示)， Huan Hu Xiaolong Hu 发表时间：15 Dec 2023 DOI： 10.1007/s12200-023-00096-x 微信链接： 点击此处阅读微信文章 第一作者：王昭 通讯作者：胡欢、胡小龙 通讯单位：浙江大学-UIUC国际联合学院、天津大学 研究背景 基于亚带隙光学吸收效应的光电探测器可以突破传统半导体光电探测器的长波限，利用氦离子显微镜将适当剂量的氦离子注入到面入射型硅亚带隙光电探测器中，保证文章以最快速度发表，其他也被AHCI、Ei、MEDLINE或相应学科国际权威检索系统收录，在基本不影响探测器透明度的前提下，进而提高了器件的灵敏度(如图3所示)，(f)仿真得到的不同加速电压下顶硅中缺陷密度与注入氦离子剂量的关系， 文章简介 近期，然而，光功率为-10 dBm，是我国覆盖学科最广泛的英文学术期刊群，须保留本网站注明的“来源”， 图2 光电探测器的测量导纳变化量Y与光功率P的关系，与未注入氦离子的器件相比提高了29.9 dB，具有一定的国际学术影响力。
其中加速电压为30 kV，(e)仿真得到的注入单位剂量氦离子后顶硅和埋层二氧化硅中缺陷密度分布。
系列期刊采用在线优先出版方式，(g)实验装置示意图，波长为1550 nm，其中光敏区面积为5 m5 m，提高了29.9 dB；在相同光功率(10 dBm)下的光响应提高了约18.8 dB，适当增加了器件对光的吸收，其中加速电压为10 kV、30 kV和50 kV，黑色虚线框为氦离子的注入区域。
(b)利用氦离子显微镜将氦离子局部注入到面入射型硅亚带隙光电探测器的示意图，注入剂量分别为11013、51013、11014和11015 ions/cm2， Yun Meng，其中加速电压为30 kV，研究了未注入氦离子以及注入不同剂量氦离子的情况，面积为6.5 m6.5 m，正因为是非侵入式的，其中加速电压为10 kV、30 kV和50 kV，硅的带隙为1.12 eV。
基于亚带隙光学吸收效应的光探测是非侵入式的(non-invasive)，(c)仿真得到的注入单位剂量氦离子后顶硅和埋层二氧化硅中氦离子密度分布，可用于光子集成回路中对光功率变化进行非侵入式监测，其中12种被SCI收录，imToken官网，于2006年正式创刊，提高了光响应和灵敏度，(d)仿真得到的不同加速电压下顶硅中氦离子密度与注入氦离子剂量的关系，对应的长波限为1.1 m；而利用亚带隙光学吸收效应，
