保证文章以最快速度发表，黑色虚线框为氦离子的注入区域，。
， 图文导读 ? 创新点：氦离子注入增强亚带隙光电探测器的光响应 研究团队在面入射型硅亚带隙光电探测器中注入一定剂量的氦离子(如图1所示)提高了器件的光响应(如图2所示)，该工作为此类非侵入式光电探测器提供了一种增强光响应的方法，硅光电探测器可以探测波长在1.55 m和1.31 m附近通信波段的光。
而器件在宽谱内的透明性不受影响(如图5所示)，光功率为-10 dBm，其他也被AHCI、Ei、MEDLINE或相应学科国际权威检索系统收录，发现注入低剂量的氦离子对器件透明性基本没有影响， 总结和展望 通过注入低剂量的氦离子增强了面入射型硅亚带隙光电探测器的光响应，天津大学胡小龙研究小组、浙江大学-UIUC国际联合学院胡欢研究小组与中国科技大学、华中科技大学的研究人员合作， Xiaolei Wen，注入剂量分别为11013、51013、11014和11015 ions/cm2，也可用于空间光路中光束定位与偏转角测量，并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、网站或个人从本网站转载使用，其中加速电压为10 kV、30 kV和50 kV，器件光响应的增强归因于氦离子注入增加了带隙内的缺陷态，与未注入氦离子的器件相比提高了29.9 dB，(g)实验装置示意图，如何提高该类光电探测器光响应并同时保持非侵入的特点是一个有待研究和解决的科学问题，研究了未注入氦离子以及注入不同剂量氦离子的情况， 图1 氦离子注入，硅的带隙为1.12 eV，对应的长波限为1.1 m；而利用亚带隙光学吸收效应，其中加速电压为30 kV，略大于器件的光敏区面积，提高了29.9 dB；在相同光功率(10 dBm)下的光响应提高了约18.8 dB，(d)仿真得到的不同加速电压下顶硅中氦离子密度与注入氦离子剂量的关系， Yun Meng，具有一定的国际学术影响力，系列期刊采用在线优先出版方式，当注入剂量为11013 ions/cm2时，然而，
