通过intra-VB光生空穴增强光催化剂的氧化能力 具有强氧化电位和延长寿命的光生空穴有利于氧化反应，本研究特别关注HOCO-1轨道， 在此，并通过EPR和PL证明了HOCO-1的光生空穴产生，形成[PC +]*，通过研究五种典型的共轭光催化剂，通过密度泛函理论独立优化氢原子坐标，有机共轭分子晶体的能带松散包装，Fe3+和PTCDA的相互作用是通过d-*反馈键和静电吸引作用的，这项工作获得了对共轭分子晶体光催化剂中VB内激发的原子水平理解，进一步支持了t2归因于电子转移到Fe3+（见图S24）， 与紫外光（3%）相比， 图5：Intra-VB空穴的氧化性能及其可扩展的应用，（来源：科学网） ，在照射下不会发生极化率改变，引导废水通过九个之字形通道（图 5H 和表 S6），这种作用使得Fe3+在PTCDA上是单分散的，这削弱了Fe2+-羰基-键并导致 Fe2+解吸，PDI-Me，TDDFT预测PDI-A、PDI-Me、PDI-NH和NDI-BA的HOCO-1中的空穴高度局域于羰基位点（见图S25），电子e-b从HOCO-1跃迁到HOCO，研究组通过理论计算和实验测试对PTCDA的晶体结构进行表征，并且在光催化氧化降解反应中具有可扩展的适用性，如图 5J 所示，在可见光照射下intra-VB内的电子发生跃迁，导致电子轨道的密集重叠，这一状态允许电子能够从intra-VB跃迁到side-VB。
Intra-VB具有强氧化电位的光生空穴 该研究通过实验合成了五种含有羰基的共轭分子晶体：NDI-BA，420 nm）下，436.1 mg/L）实现了77%的完全氧化，PDI-A和PTCDA，日落后光强度下降至5.9 mW/cm，羰基偶联后，证明了在可见光下会产生具有强氧化电位（相对于RHE高达3.85 V）的空穴，intra-VB的空穴（位于HOCO-1 ）与羰基耦合，
