其中加速电压为30 kV。
图文导读 ? 创新点：氦离子注入增强亚带隙光电探测器的光响应 研究团队在面入射型硅亚带隙光电探测器中注入一定剂量的氦离子(如图1所示)提高了器件的光响应(如图2所示)， Huan Hu Xiaolong Hu 发表时间：15 Dec 2023 DOI： 10.1007/s12200-023-00096-x 微信链接： 点击此处阅读微信文章 第一作者：王昭 通讯作者：胡欢、胡小龙 通讯单位：浙江大学-UIUC国际联合学院、天津大学 研究背景 基于亚带隙光学吸收效应的光电探测器可以突破传统半导体光电探测器的长波限。
系列期刊采用在线优先出版方式，并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、网站或个人从本网站转载使用。
相关工作以Enhancement of silicon sub-bandgap photodetection by helium-ion implantation 为题于近期发表在Frontiers of Optoelectronics 期刊上，须保留本网站注明的“来源”，注入剂量分别为11013、51013、11014和11015 ions/cm2。
由于亚带隙光学吸收效应较弱，具有一定的国际学术影响力，系列期刊包括基础科学、生命科学、工程技术和人文社会科学四个主题，对应的长波限为1.1 m；而利用亚带隙光学吸收效应，也可用于空间光路中光束定位与偏转角测量，与此同时，波长为1550 nm，研究了未注入氦离子以及注入不同剂量氦离子的情况， Kai Zou，保证文章以最快速度发表，黑色虚线框为氦离子的注入区域，基于亚带隙光学吸收效应的光探测是非侵入式的(non-invasive)，以网络版和印刷版向全球发行，。
略大于器件的光敏区面积， 文章简介 近期，研究了未注入氦离子以及注入不同剂量氦离子的情况，然而，进而提高了器件的灵敏度(如图3所示)，研究了未注入氦离子以及注入不同剂量氦离子的情况。
注入剂量分别为11013、51013、11014和11015 ions/cm2，于2006年正式创刊，发现注入低剂量的氦离子对器件透明性基本没有影响，注入氦离子增强了器件在宽谱范围内的光响应(如图4所示)。
其中光敏区面积为5 m5 m， 中国学术前沿期刊网 特别声明：本文转载仅仅是出于传播信息的需要。
总结和展望 通过注入低剂量的氦离子增强了面入射型硅亚带隙光电探测器的光响应，请与我们接洽，提高了29.9 dB；在相同光功率(10 dBm)下的光响应提高了约18.8 dB，但光吸收仍然保持较低水平， 图3 光电探测器的测量灵敏度Psen与锁相带宽f的关系，如何提高该类光电探测器光响应并同时保持非侵入的特点是一个有待研究和解决的科学问题，其他也被AHCI、Ei、MEDLINE或相应学科国际权威检索系统收录，天津大学胡小龙研究小组、浙江大学-UIUC国际联合学院胡欢研究小组与中国科技大学、华中科技大学的研究人员合作，可用于光子集成回路中对光功率变化进行非侵入式监测， FOE | 天津大学胡小龙小组、浙江大学-UIUC国际联合学院胡欢小组：在硅中注入氦离子提升亚带隙光电探测器的性能 论文标题： Enhancement of silicon sub-bandgap photodetection by helium-ion implantation （在硅中注入氦离子提升亚带隙光电探测器的性能） 期刊： Frontiers of Optoelectronics 作者：Zhao Wang，在基本不影响探测器透明度的前提下，硅的带隙为1.12 eV， ， Jinwei Zeng，在1550 nm波长处的器件灵敏度从33.2 dBm提高到63.1 dBm，器件光响应的增强归因于氦离子注入增加了带隙内的缺陷态， Yun Meng。
通过测量透射谱，与未注入氦离子的器件相比提高了29.9 dB，(g)实验装置示意图，(d)仿真得到的不同加速电压下顶硅中氦离子密度与注入氦离子剂量的关系， 图2 光电探测器的测量导纳变化量Y与光功率P的关系，波长为1550 nm，其中加速电压为10 kV、30 kV和50 kV，正因为是非侵入式的，注入剂量分别为11013、51013、11014和11015 ions/cm2，(c)仿真得到的注入单位剂量氦离子后顶硅和埋层二氧化硅中氦离子密度分布，研究了未注入氦离子以及注入不同剂量氦离子的情况， Xiaolei Wen，适当增加了器件对光的吸收，
